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机译：深1-x高ga深x高移到深iii建筑物b（深v高halbleiter底物）的schichtdickenanasese方法
公开/公告号DD213326A1
专利类型
公开/公告日1984-09-05
原文格式PDF
申请/专利权人 UNIV BERLIN HUMBOLDT DD;
申请/专利号DD19830247506
发明设计人 LOEWE HANS DD;SINGER IRENE DD;KEPPEL PETER DD;METTEL HANNELORE DD;
申请日1983-01-27
分类号H01L21/306;C23F1/00;
国家 DD
入库时间 2022-08-22 09:20:56
机译： 的方法，特别是在深iii高b深v和深ii高b深vi化合物中，生产埋藏的加氢阻滞剂层和强手势增强层的方法
机译： 通式为ch deep 3-ch deep 2-ch = ch-（ch deep 2）的有机化合物m-ch = ch-（ch deep 2）的n-x的有机化合物及其制备方法
