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制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法及堆叠式电容器的制备方法

摘要

本发明公开了一种制备高宽深比结构的等离子蚀刻方法及装置。该方法包括以下步骤:置放基板于等离子蚀刻装置内,其中该等离子蚀刻装置包括一上电极板及一下电极板;持续提供一上源射频电力及一直流电力至该上电极板;以及间断地提供一偏压射频电力至该下电极板。当该偏压射频电力被切换至关状态时,大量二次电子会通过主体等离子且到达该基板而与正离子中和。

著录项

  • 公开/公告号CN102800551B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南亚科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201110266496.3

  • 发明设计人 吴常明;陈逸男;刘献文;

    申请日2011-09-09

  • 分类号

  • 代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;

  • 代理人张龙哺

  • 地址 中国台湾桃园县

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-18

    授权

    授权

  • 2013-01-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20110909

    实质审查的生效

  • 2012-11-28

    公开

    公开

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