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Stacked double density memory module using industry standard memory chips, double density memory board and method of forming a stacked double density memory module

机译:使用工业标准存储芯片的堆叠双密度存储模块,双密度存储板和形成堆叠双密度存储模块的方法

摘要

A stacked double density memory module may be formed from two industry standard memory chips, by jumpering the unused and chip enable pins on one chip and then stacking the jumpered chip on the other chip with the pins on the jumpered (top) chip contacting the corresponding pins on the other (bottom) chip except for the chip select pins. In a preferred embodiment for use with 64K or one megabit DRAMs, the top chip is jumpered with a U-shaped strap which runs from the unused pin to the chip enable pin. The chip enable pin is bent toward the chip body to retain the strap in place. The technique may also be employed for stacking other industry standard memory or array chips.
机译:堆叠的双密度存储模块可以由两个行业标准的存储芯片组成,方法是在一个芯片上跨接未使用的和芯片使能引脚,然后将跨接的芯片堆叠在另一芯片上,而跨接的(顶部)芯片上的引脚与相应的引脚接触除片选引脚外,其他(底部)芯片上的引脚。在与64K或一个兆位DRAM一起使用的优选实施例中,顶部芯片由U形带跨接,该U形带从未使用的引脚延伸到芯片使能引脚。芯片使能引脚朝芯片主体弯曲,以将扎带固定在适当的位置。该技术还可以用于堆叠其他工业标准存储器或阵列芯片。

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