使用工业标准存储芯片的重叠式双密度存储组件

摘要

重叠式双密度存储模块可由两片标准工业存储晶片构成。它是将一晶片的空接管脚与晶片允许管脚跨接，并将此晶片重叠在另一晶片上，除晶片选择管脚外，将已跨接(上层)晶片与相应的另一(下层)晶片的管脚相连。在最佳实施方案中，使用了64K或1兆位的DRAM(动态随机存取存储器)，上层晶片以U型金属片跨接于空管脚与晶片允许管脚之间，而此晶片允许管脚是弯向晶片本体的，使该晶片能保持在适当的位置上。此技术亦可用于重叠其他标准工业存储器或阵列晶片。