退出
我的积分：
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译：用于制造半导体器件dmos的改进方法。
公开/公告号IT1213234B
专利类型
公开/公告日1989-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 SGS THOMSON MICROELECTRONICS SPA;
申请/专利号IT19840023302
发明设计人 CLAUDIO CONTIERO;
申请日1984-10-25
分类号A61K;
国家 IT
入库时间 2022-08-22 06:17:17
机译： 改进了制造半导体器件dmos的方法。
机译： 在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法降低金属间介电层的寄生电容的同时降低特性，同时减小p的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法
机译： 半导体制造中的自匹配接触点过程，标准自匹配接触点半导体制造过程的改进方法和自匹配接触点半导体制造
