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Control of time-dependent haze in the manufacture of integrated circuits

机译:控制集成电路制造中随时间变化的雾度

摘要

The onset of haze on silicon wafers is controlled by treating the wafers with a chemical selected from the group consisting of hot water and isopropyl alcohol and then storing the treated wafers in an inert atmosphere such as nitrogen or argon.
机译:通过用选自热水和异丙醇的化学物质处理硅片,然后将处理过的硅片储存在惰性气氛如氮气或氩气中,来控制硅片上的混浊的发生。

著录项

  • 公开/公告号EP0602842A3

    专利类型

  • 公开/公告日1995-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AT&T CORP.;

    申请/专利号EP19930309640

  • 发明设计人 OBENG YAW SAMUEL;VAJDAEDWARD J.;

    申请日1993-12-02

  • 分类号H01L21/306;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 04:13:25

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