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DIAMOND FILM SYNTHESIS BY DC PLASMA CVD

机译:直流等离子体化学气相沉积法合成金刚石膜

摘要

The diamond film is deposited by decomposing reaction gas, the mixture of hydrogen, 1-10% methane and 0-5% oxygen or hydrogen and 1-30% carbon monoxide, with the plasma generated between the negative electrode, the multi-negative electrode formed by arranging the negative electrode of the plural number connected to the independent direct current, and the positive electrode inside of reactor. The synthesis pressure is maintained at 100-500Torr in order to deposit the diamond film with high speed by generating a large plasma between both electrodes.
机译:通过分解反应气体,氢气,1-10%的甲烷和0-5%的氧气或氢气和1-30%的一氧化碳的混合物以及在负极,多负极之间产生的等离子体来沉积金刚石膜。通过将连接至独立直流电的多个负电极和电抗器内部的正电极布置而形成。为了通过在两个电极之间产生大的等离子体来高速沉积金刚石膜,合成压力保持在100-500Torr。

著录项

  • 公开/公告号KR960010087B1

    专利类型

  • 公开/公告日1996-07-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KIST;

    申请/专利号KR19930032330

  • 申请日1993-12-31

  • 分类号C01B31/06;C30B29/04;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 03:45:22

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