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DIAMOND FILM CVD SYNTHESIS BY HIGH DENSITY DC GLOW DISCHARGE

机译:高密度直流辉光放电合成金刚石膜CVD

摘要

The diamond film is deposited on a substrate by generating the plasma between the negative electrode, made by arranging the U-shape filaments of the plural number in a line, in parallel, and the positive electrode by high density DC glow discharge from glow-to-arc transition current. The temp. of the U-shape filament negative electrode must be maintained more than 2100-2300 deg.C in order to prevent the generation of arc between electrodes in the process of synthesis.
机译:通过从放电到放电的高密度直流辉光放电,在负极之间产生等离子体,从而在基板上沉积金刚石膜,该负极通过将多个U形灯丝平行排列成一条直线而制成-电弧过渡电流。温度为了防止在合成过程中电极之间产生电弧,U形灯丝负电极的最大弧度必须保持在2100-2300℃以上。

著录项

  • 公开/公告号KR960010086B1

    专利类型

  • 公开/公告日1996-07-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KIST;

    申请/专利号KR19930030636

  • 申请日1993-12-29

  • 分类号C01B31/06;C30B29/04;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 03:45:22

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