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机译：放射线敏感性半导体器件以及具有这种放射线敏感性半导体器件的读取或写入单元。
公开/公告号DE69021956T2
专利类型
公开/公告日1996-04-18
原文格式PDF
申请/专利权人 PHILIPS ELECTRONICS NV NL;
申请/专利号DE1990621956T
发明设计人 BIERHOFF MARTINUS PETRUS MARIA NL;
申请日1990-06-25
分类号H01L31/11;G11B7/09;H01L31/02;H01L27/144;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 03:41:46
机译： 放射线敏感性半导体装置和包括该放射线敏感性半导体装置的读写单元
机译： 光化射线敏感或辐射敏感的树脂组合物，光化射线敏感或辐射敏感的层以及使用该组合物的图案形成方法，半导体器件的制造方法和半导体器件以及化合物
