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Device optoelectronics a quantum wells

机译:器件光电子学量子阱

摘要

The optoelectronic mechanism has an active zone, made up of a number of different forbidden bandwidth layers running along a cavity. The layers have two energy levels in the conduction band forming quantum wells. On one side of the active zone there is a diffraction network (RZ) and an outer reflecting mirror (M1) whilst the other side of the zone has a reflecting mirror.
机译:光电机构具有一个有源区,该有源区由沿空腔延伸的多个不同的禁带带宽层组成。这些层在形成量子阱的导带中具有两个能级。在活动区域​​的一侧有一个衍射网络(RZ)和一个外部反射镜(M1),而该区域的另一侧则有一个反射镜。

著录项

  • 公开/公告号FR2741483B1

    专利类型

  • 公开/公告日1998-01-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 THOMSON CSF;

    申请/专利号FR19950013785

  • 发明设计人 DUBOZ JEAN YVES;

    申请日1995-11-21

  • 分类号H01S3/18;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 02:42:07

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