首页> 外国专利> High accuracy fabrication of X-ray masks with optical and E-beam lithography

High accuracy fabrication of X-ray masks with optical and E-beam lithography

机译:利用光学和电子束光刻技术高精度制造X射线掩模

摘要

X-ray lithography is used in the fabrication of very large scale integrated circuits. Optical lithography techniques are used to create a preliminary mask with coarse features in the preparation of a high resolution x-ray mask. The E-beam tool may register the location of the E- beam relative to the optically written coarse features. This helps the tool to navigate according to the location of specific features.
机译:X射线光刻技术用于制造超大规模集成电路。在制备高分辨率x射线掩模时,使用光学光刻技术来创建具有粗糙特征的初步掩模。电子束工具可以记录电子束相对于光学写入的粗糙特征的位置。这有助于工具根据特定功能的位置进行导航。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号