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METHOD FOR SUPPRESSING HORIZONTAL MODE IN SBAR(SEMICONDUCTOR BULK ACOUSTIC RESONATOR)

机译:抑制SBAR中水平模态的方法

摘要

PURPOSE: A method for suppressing horizontal mode in SBAR is provided to improve a passband insertion loss and a phase characteristic of the resonator. CONSTITUTION: The horizontal acoustic wave mode can be suppressed by using viscid acoustic damping material like polyimide while the viscid damping material absorbs relatively small amount of energy in the vertical mode along with at least one of electrodes(26,28) to change horizontal dimension of the resonator electrodes(26,28) or reduce reflection from electrode edge to electrode region in the horizontal acoustic mode.
机译:目的:提供一种抑制SBAR中水平模式的方法,以改善通带插入损耗和谐振器的相位特性。组成:可以通过使用诸如聚酰亚胺之类的粘滞声阻尼材料来抑制水平声波模式,而粘滞阻尼材料在垂直模式下与至少一个电极(26,28)一起吸收相对少量的能量以改变水平声波模式在水平声波模式下,通过谐振器电极(26,28)或减少从电极边缘到电极区域的反射。

著录项

  • 公开/公告号KR20000005728A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TRW INC.;

    申请/专利号KR19990019393

  • 发明设计人 CUSHMAN DEURYU;KEUROPODEU J.D.;

    申请日1999-05-28

  • 分类号H03H9/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 01:46:14

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