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A METHOD OF DEPOSITION PROFILE SIMULATION

机译:沉积物剖面模拟的方法

摘要

The simulation method of the present invention, which predicts the shape of a contact hole at high speed, uses an analytical integral to calculate a flux density which is directly incident from the gas phase onto each surface point of the contact hole, and uses two surface points using different analytical integrals. Computing a shape factor for each pair of two surface points of the contact hole, which explains the flux exchange between them.
机译:本发明的模拟方法,其高速地预测接触孔的形状,使用解析积分来计算从气相直接入射到接触孔的每个表面点的磁通密度,并使用两个表面。点使用不同的解析积分。为接触孔的两个表面点的每对计算形状因数,这说明了它们之间的磁通交换。

著录项

  • 公开/公告号KR100262874B1

    专利类型

  • 公开/公告日2000-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NEC CORPORATION;

    申请/专利号KR19970039971

  • 发明设计人 신자와 쯔또무;

    申请日1997-08-21

  • 分类号H01L21/66;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 01:44:43

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