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Small size, low consumption, multilevel nonvolatile memory
Small size, low consumption, multilevel nonvolatile memory
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机译：体积小，功耗低，多层非易失性存储器
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A multilevel nonvolatile memory includes a supply line (28) supplying a supply voltage (VDD), a voltage boosting circuit (26) supplying a boosted voltage (Vp), higher than the supply voltage (VDD), a boosted line (30) connected to the voltage boosting circuit (26) and a reading circuit (25) including at least one comparator (35). The comparator (35) includes a first and a second input (35a, 35b), a first and a second output (45a, 45b), at least one amplification stage (40) connected to the boosted line (30), and a boosted line latch stage (41) connected to the supply line (28).
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机译：一种多级非易失性存储器，包括提供电源电压（V DD ）的电源线（ 28 ），提供电源电压的升压电路（ 26 ）。升压电压（V p ）高于电源电压（V DD ），连接到升压电路的升压线（ 30 ） （ 26 ）和包括至少一个比较器（ 35 ）的读取电路（ 25 ）。比较器（ 35 ）包括第一和第二输入（ 35 a ，35 b < / I>），第一和第二输出（ 45 a ，45 b ），至少一个放大级（ 40 ）连接到增强线（ 30 ），增强线锁存级（ 41 ）连接到电源线（ 28 ）。
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