机译:低透射率抗静电膜形成,低透射率抗静电膜的涂层解决方案的制造方法,适用于该涂层溶液的低透射率抗静电膜,低透射率的抗静电基质,以及用于显示该基质的显示装置
公开/公告号JP2004055448A
专利类型
公开/公告日2004-02-19
原文格式PDF
申请/专利权人 SUMITOMO METAL MINING CO LTD;
申请/专利号JP20020214083
发明设计人 OTSUKA YOSHIHIRO;
申请日2002-07-23
分类号H01J9/20;C03C17/30;C09D1/00;C09D5/24;H01J29/88;H05F1/00;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 23:30:29