机译:用于形成低透射率抗静电膜的涂覆液,适用于该涂覆液的低透射率抗静电膜,制造低透射率抗静电基体材料的方法以及在该基体上显示设备的方法
公开/公告号JP2003137601A
专利类型
公开/公告日2003-05-14
原文格式PDF
申请/专利权人 SUMITOMO METAL MINING CO LTD;
申请/专利号JP20010337414
申请日2001-11-02
分类号C03C17/02;C09D5/24;C09D183/02;H01B1/20;H01J29/88;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 00:19:12