要解决的问题:提供一种具有良好的导电性和成膜性,可以进一步增加低反射率,抗静电/电场屏蔽功能以及提高对比度的低透射率透明导电性基材。 ,并可以降低生产成本。
解决方案:低透射率透明导电性基材具有由低透射率透明导电性膜和透明涂层构成的低透射率两层膜。低透射率透明导电膜以比表面积为201〜499m 版权:(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2005048056A
专利类型
公开/公告日2005-02-24
原文格式PDF
申请/专利权人 SUMITOMO METAL MINING CO LTD;
申请/专利号JP20030281284
申请日2003-07-28
分类号C09D5/24;B32B7/02;C09D1/00;G02B1/10;G02B5/00;H01B1/24;H01B5/14;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 22:31:43