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Circuit for generating trim bit signal in a flash memory device

机译:在闪存设备中产生修整位信号的电路

摘要

Disclosed is a circuit for generating a trim bit signal in a flash memory device. The circuit comprises a control unit selected by a trim bit select signal and including a programmable and erasable cell, and an output unit for outputting a High level signal or a Low level signal through the trim bit signal output terminal depending on the program cell of the control unit. Thus, as important parameters could be controlled that decide the characteristics of the chip even after the package, the characteristics of the chip could be improved and the productivity could be thus improved.
机译:公开了一种用于在闪存设备中生成修整位信号的电路。该电路包括:控制单元,其由修整位选择信号选择并且包括可编程和可擦除单元;以及输出单元,用于根据修整位信号的输出单元,通过修整位信号输出端子输出高电平信号或低电平信号。控制单元。因此,由于即使在封装之后也可以控制决定芯片的特性的重要参数,所以可以改善芯片的特性并且因此可以提高生产率。

著录项

  • 公开/公告号US2004004874A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-01-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JEONG JONG BAE;PARK IN SUN;

    申请/专利号US20030462717

  • 发明设计人 IN SUN PARK;JONG BAE JEONG;

    申请日2003-06-17

  • 分类号G11C7/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 23:14:35

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