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Circuit for generating trim bit signal in a flash memory device

机译:在闪存设备中产生修整位信号的电路

摘要

A circuit for generating a trim bit signal in a flash memory device, comprises a control unit selected by a trim bit select signal and including a programmable and erasable cell, and an output unit for outputting a High level signal or a Low level signal through the trim bit signal output terminal depending on the program cell of the control unit.
机译:一种用于在闪存设备中产生修整位信号的电路,包括:由修整位选择信号选择的控制单元,其包括可编程和可擦除单元;以及输出单元,用于通过所述输出单元输出高电平信号或低电平信号。调整位信号输出端子,取决于控制单元的程序单元。

著录项

  • 公开/公告号US6950339B2

    专利类型

  • 公开/公告日2005-09-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JONG BAE JEONG;IN SUN PARK;

    申请/专利号US20030462717

  • 发明设计人 IN SUN PARK;JONG BAE JEONG;

    申请日2003-06-17

  • 分类号G11C16/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:19:51

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