首页> 外国专利> TANTALUM-SILICON AND NIOBIUM-SILICON SUBSTRATES FOR CAPACITOR ANODES

TANTALUM-SILICON AND NIOBIUM-SILICON SUBSTRATES FOR CAPACITOR ANODES

机译:电容器阳极钽硅和铌硅基体

摘要

Ta-Si, Nb-Si, TaN-Si, NbN-Si and variants are used as enhanced powder anode substrates for electrolytic capacitor anodes (sintered powder masses) with dielectric oxide formation at walls of the internal pores.
机译:Ta-Si,Nb-Si,TaN-Si,NbN-Si及其变体用作电解电容器阳极(烧结粉末块)的增强粉末阳极基板,在内部孔壁处形成介电氧化物。

著录项

  • 公开/公告号IL157273D0

    专利类型

  • 公开/公告日2004-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 H.C. STARCK INC.;

    申请/专利号IL20020157273

  • 发明设计人

    申请日2002-02-12

  • 分类号7C25BA;

  • 国家 IL

  • 入库时间 2022-08-21 23:10:34

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号