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TANTALUM-SILICON AND NIOBIUM-SILICON SUBSTRATES FOR CAPACITOR ANODES.

机译:电容器阳极的钽硅和铌硅基质。

摘要

The allows: Ta-Si, Nb-Si, TaN-Si, NbN-Si and variants are used as enhanced powder anode substrates for electrolytic capacitor anodes (sintered powder masses) with dielectric oxide formation at walls of the internal pores.
机译:允许使用:Ta-Si,Nb-Si,TaN-Si,NbN-Si及其变体用作电解电容器阳极(烧结粉末块)的增强型粉末阳极基板,并在内部孔壁处形成介电氧化物。

著录项

  • 公开/公告号MXPA03007171A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-02-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 H.C. STARCK INC.;

    申请/专利号MX2003PA07171

  • 发明设计人 ANASTASIA CONLON;

    申请日2002-02-12

  • 分类号C25B11/04;

  • 国家 MX

  • 入库时间 2022-08-21 22:17:29

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