首页> 中国专利> 用于电容器阳极的钽-硅和铌-硅基体

用于电容器阳极的钽-硅和铌-硅基体

摘要

使用Ta-Si、Nb-Si、TaN-Si、NbN-Si和变体作为增强的粉末阳极基体用于电解质电容器阳极(烧结粉末体),其中在内孔壁上有介电氧化物形成。

著录项

  • 公开/公告号CN1327035C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-07-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 H.C.施塔克公司;

    申请/专利号CN02804876.8

  • 发明设计人 L·辛金斯;A·孔伦;

    申请日2002-02-12

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人王景朝

  • 地址 美国麻萨诸塞州

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-04-22

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2007-07-18

    授权

    授权

  • 2004-06-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-04-21

    公开

    公开

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