机译:通过将应力应用于半导体层,半导体器件,方法和方法,包括半导体层,包括半导体层,用于支撑半导体层的多孔层以及用于对半导体层进行应变的应变诱导区域的半导体基质。
公开/公告号KR20040105627A
专利类型
公开/公告日2004-12-16
原文格式PDF
申请/专利权人 CANON KABUSHIKI KAISHA;
申请/专利号KR20040042219
申请日2004-06-09
分类号H01L27/12;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:06:21