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CONTROL METHOD OF TWIN AND POLY-NUCLEATION DURING GAAS CRYSTAL GROWTH

机译：气体晶体生长过程中孪晶和多核的控制方法

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公开/公告号KR20050082685A

专利类型
公开/公告日2005-08-24

原文格式PDF
申请/专利权人 NEOSEMITECH INC.;
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申请/专利号KR20040011216
发明设计人 OH MYUNG HWAN;
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申请日2004-02-20
分类号C30B29/42;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:04:46

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