解决方案:利用中性束气相沉积设备的气相沉积方法包括以下步骤:将包含不能被工件化学吸附的物质的第一反应气体送入装有工件的反应室中,以形成第一反应产物吸附通过吸附在工件上包含不可化学吸附的物质的层以及用第二反应气体产生的中性束照射在其上形成有第一反应产物吸附层的工件上的步骤,以从第一溶剂中去除未被工件化学吸附的物质反应产物吸附层并形成第二反应产物吸附层。通过利用利用中性束的原子层气相沉积设备和利用该设备的原子层气相沉积方法,可以实施步骤而不会由于充电而造成损坏。
版权:(C)2007,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2006265724A
专利类型
公开/公告日2006-10-05
原文格式PDF
申请/专利号JP20060027507
申请日2006-02-03
分类号C23C16/455;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/285;H01L21/283;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:54:00