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CMOS image sensor and method for manufacturing the same

机译:CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

A CMOS image sensor and a method for manufacturing the same improves signal efficiency by reducing a dark signal, and includes a substrate having a first conductive type comprising an image area and a circuit area, a STI isolation layer in the substrate for electrical isolation within the circuit area, and a field oxide in the substrate for electrical isolation within the image area.
机译:CMOS图像传感器及其制造方法通过减少暗信号来提高信号效率,并且包括具有第一导电类型的基板,该第一导电类型包括图像区域和电路区域,该基板中的STI隔离层用于内部的电隔离。电路区域,以及基板中的场氧化物,用于在图像区域内进行电隔离。

著录项

  • 公开/公告号US2006145205A1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BUM SIK KIM;

    申请/专利号US20050319969

  • 发明设计人 BUM SIK KIM;

    申请日2005-12-29

  • 分类号H01L31/113;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:45:34

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