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ETCHING SOLUTION, ETCHED ARTICLE AND METHOD FOR ETCHED ARTICLE

机译:蚀刻溶液,蚀刻物品及蚀刻方法

摘要

An etching solution which contains hydrogen fluoride (HF) and exhibits an etching rate ratio: etching rate for a boron-glass film (BSG) or boron-phosphorusglass (BPSG)/etching rate for a thermally oxidized film (THOX) of 10 or more at 25 DEG C.
机译:一种蚀刻溶液,其包含氟化氢(HF)并具有蚀刻速率比:硼玻璃膜(BSG)或硼磷玻璃(BPSG)的蚀刻率/热氧化膜(THOX)的蚀刻率大于或等于10在25℃下。

著录项

  • 公开/公告号EP1150342A4

    专利类型

  • 公开/公告日2005-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DAIKIN INDUSTRIES LTD.;

    申请/专利号EP19990972781

  • 申请日1999-11-22

  • 分类号H01L21/306;H01L21/308;C09K13/08;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 21:33:15

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