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DEVICE PACKAGES HAVING A III-NITRIDE BASED POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

机译:具有基于III氮化物的功率半导体器件的器件封装

摘要

A semiconductor device package includes a die pad, a substrate disposed on the die pad, and a III-nitride based semiconductor device disposed on the substrate. The device package may also include a second semiconductor device disposed on the die pad or the substrate, which device may be electrically connected to the III-nitride based device to form a circuit.
机译:半导体器件封装包括管芯焊盘,设置在管芯焊盘上的衬底以及设置在衬底上的基于III族氮化物的半导体器件。器件封装还可以包括布置在管芯焊盘或衬底上的第二半导体器件,该器件可以电连接至基于III族氮化物的器件以形成电路。

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