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III族氮化物器件以及制备基于III族氮化物的器件的方法

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摘要

公开了III族氮化物器件以及制备基于III族氮化物的器件的方法。在实施例中，基于III族氮化物的晶体管器件包括：第一钝化层，其被布置在基于III族氮化物的底部层的第一主表面上；第二钝化层，其被布置在第一钝化层上；源极欧姆接触、漏极欧姆接触和栅极，其位于基于III族氮化物的底部层的第一主表面上；场板，场板被在横向上布置在栅极和漏极欧姆接触之间并且与栅极和漏极欧姆接触间隔开。

著录项

  • 公开/公告号CN113571573A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;

    申请/专利号CN202110464426.2

  • 发明设计人 A·比尔纳;H·布雷希;J·特怀南;

    申请日2021-04-28

  • 分类号H01L29/20(20060101);H01L29/40(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人刘书航;周学斌

  • 地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号

  • 入库时间 2023-06-19 13:02:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/20 专利申请号:2021104644262 申请日:20210428

    实质审查的生效

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