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NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF CHECKING PASS/FAIL STATUS

机译:具有检查通过/失败状态的非易失性半导体存储器

摘要

The present invention relates to a nonvolatile semiconductor memory device.; The present invention has a memory cell array; The page buffer circuit; in a semiconductor memory device including, each of the page buffer page of the first register and the second comprises a register, the first data bit of the register to pass / fail check to determine if the path data, circuit; Using the determination result of the pass / fail check circuit, the n number of page all that is continuously program determines whether the successfully programmed, and pass / fail check latch circuit for storing the determination resu characterized by further including do.; According to the present invention, even if the fail-page is one of all the pages of the program when the program more than one page in succession can be checked whether or not there.
机译:本发明涉及一种非易失性半导体存储器件。本发明具有存储单元阵列。页面缓冲电路;在一种半导体存储装置中,包括第一寄存器的页面缓冲页和第二寄存器的每个缓冲页,该寄存器的第一数据位通过/未通过检查以确定路径数据,电路;使用通过/不通过检查电路的确定结果,连续编程的全部n个页数确定是否被成功编程,并且通过/不通过检查锁存电路用于存储确定结果;特点是进一步包括做。根据本发明,即使失败页面是该程序的所有页面之一,当连续检查一个以上的页面时,也可以检查该页面是否存在。

著录项

  • 公开/公告号KR100528483B1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-11-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20040000023

  • 发明设计人 이준;김인영;

    申请日2004-01-02

  • 分类号G11C16/02;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 21:27:30

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