要解决的问题:提供用于减少存储单元中的泄漏的PG门控存储单元,以及形成存储单元的方法。解决方案:形成存储单元的方法包括在存储单元的供电轨和可操作以接受供电电压的节点之间耦合第一晶体管。该方法还包括将第二晶体管耦合在单元的接地线与可操作以接收接地的节点之间。在一个实施例中,该方法包括形成单元以接受选择性施加的外部电压,其中选择外部电压以最小化单元中的泄漏电流。在另一实施例中,该方法包括形成第一晶体管和第二晶体管中的至少一个以具有被选择为最小化单元中的总泄漏电流的沟道宽度和/或阈值电压。
版权:(C)2008,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2008159249A
专利类型
公开/公告日2008-07-10
原文格式PDF
申请/专利权人 FUJITSU LTD;
申请/专利号JP20070330723
申请日2007-12-21
分类号G11C11/41;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 20:23:17