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METHODS AND APPARATUS FOR READ/WRITE CONTROL AND BIT SELECTION WITH FALSE READ SUPPRESSION IN AN SRAM

机译:SRAM中具有假读抑制的读/写控制和位选择的方法和装置

摘要

Methods and apparatus are provided for read/write control and bit selection with false read suppression in an SRAM. According to one aspect of the invention, a bit select circuit is provided for an SRAM. The disclosed bit select circuit comprises one or more transistors controlled by a write control gate signal to prevent data from being read from one or more data cells during a write operation. The transistors can comprise, for example, a pair of gated transistors controlled by the write control gate signal. The write control gate signal prevents data from being read from one or more data cells while the write control gate signal is in a predefined state.
机译:提供了用于在SRAM中具有错误读取抑制的读/写控制和位选择的方法和装置。根据本发明的一个方面,提供了一种用于SRAM的位选择电路。所公开的位选择电路包括由写控制门信号控制的一个或多个晶体管,以防止在写操作期间从一个或多个数据单元读取数据。晶体管可以包括例如由写控制栅极信号控制的一对门控晶体管。当写控制栅极信号处于预定状态时,写控制栅极信号防止从一个或多个数据单元读取数据。

著录项

  • 公开/公告号US2008247246A1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RAJIV V. JOSHI;

    申请/专利号US20080140561

  • 发明设计人 RAJIV V. JOSHI;

    申请日2008-06-17

  • 分类号G11C7/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 20:12:24

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