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MULTI-BIT-PER-CELL FLASH MEMORY DEVICE WITH AN EXTENDED SET OF COMMANDS

机译:具有扩展命令集的多位每单元闪存存储设备

摘要

A multi-bit-per-cell flash memory device supports a command such that each invocation of the command by the device's host changes respective values of one or more types of reference voltage (e.g., all read reference voltages and/or all program verify reference voltages) of the device to respective new values.
机译:每单元多位闪存设备支持命令,使得设备主机对命令的每次调用都会更改一种或多种类型的参考电压(例如,所有读取的参考电压和/或所有程序验证参考)的相应值设备的最大电压值)。

著录项

  • 公开/公告号KR20090033867A

    专利类型

  • 公开/公告日2009-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SANDISK IL LTD.;

    申请/专利号KR20097000356

  • 发明设计人 MURIN MARK;

    申请日2009-01-08

  • 分类号G11C16/04;G11C16/30;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 19:13:39

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