首页> 外国专利> Pattern forming method, the pattern forming multiple development for the positive resist composition used in the method, the negative developer for developing solution used in the pattern forming method and a negative developing rinse solution used in the pattern forming method

Pattern forming method, the pattern forming multiple development for the positive resist composition used in the method, the negative developer for developing solution used in the pattern forming method and a negative developing rinse solution used in the pattern forming method

机译:图案形成方法,用于该方法的正型抗蚀剂组合物的图案形成多重显影,用于图案形成方法的用于显影液的负显影剂以及用于图案形成方法的负显影冲洗液

摘要

A pattern forming method, including: (A) coating a substrate with a positive resist composition of which solubility in a positive developer increases and solubility in a negative developer decreases upon irradiation with actinic rays or radiation, so as to form a resist film; (B) exposing the resist film; and (D) developing the resist film with a negative developer; a positive resist composition for multiple development used in the method; a developer for use in the method; and a rinsing solution for negative development used in the method.
机译:一种图案形成方法,其包括:(A)用光化射线或放射线照射时在正显影剂中的溶解度增加而在负显影剂中的溶解度降低的正抗蚀剂组合物涂覆基板,以形成抗蚀剂膜; (B)曝光抗蚀剂膜; (D)用负显影剂显影抗蚀剂膜;该方法中使用的用于多次显影的正性抗蚀剂组合物;用于该方法的显影剂;以及用于该方法的用于负显影的冲洗液。

著录项

  • 公开/公告号JP4554665B2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士フイルム株式会社;

    申请/专利号JP20070325915

  • 发明设计人 椿 英明;漢那 慎一;

    申请日2007-12-18

  • 分类号G03F7/32;G03F7/038;G03F7/039;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 18:58:57

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号