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INTEGRATED CIRCUIT WITH PHASE-CHANGE MEMORY CELLS AND METHOD FOR ADDRESSING PHASE-CHANGE MEMORY CELLS

机译:具有相变存储器单元的集成电路以及用于寻址相变存储器单元的方法

摘要

The present invention relates to integrated circuit comprising a plurality of bit­lines (bl) and a plurality of word-lines (wl) as well as a plurality of memory-cells (MC) coupled between a separate bit-line/word-line pair of the plurality of bit-lines (bl) and word­lines (wl) for storing data in the memory cell. Each memory cell (MC) comprises a selecting unit (T) and a programmable resistance (R). The value of the phase-change resistance (R) is greater than the value of a first phase-change resistance (Ropt) defined by a supply voltage (Vdd) divided by a maximum drive current (Im,) through said first phase-change resistor (Ropt).
机译:本发明涉及一种集成电路,包括多条位线(b1)和多条字线(wl)以及耦合在分离的位线/字线对之间的多个存储单元(MC)。用于在存储单元中存储数据的多条位线(b1)和字线(wl)。每个存储单元(MC)包括选择单元(T)和可编程电阻(R)。相变电阻(R)的值大于由电源电压(Vdd)除以通过所述第一相变的最大驱动电流(Im,)定义的第一相变电阻(Ropt)的值。电阻(Ropt)。

著录项

  • 公开/公告号EP1807840B1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-05-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NXP BV;

    申请/专利号EP20050792269

  • 申请日2005-10-17

  • 分类号G11C16/02;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 18:39:03

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