PCRAM cells; design; electric-thermal-mechanical analysis; phase-change; software;
机译:相变随机存取存储器(PCRAM)线单元的纳米结构-性质关系
机译:接触电阻对相变随机存取存储器(PCRAM)中存储窗口的影响
机译:基于相变材料的通用内存:从相变随机存取存储器到光电混合存储
机译:相变随机存取存储器(PCRAM)单元的综合分析和设计
机译:6H碳化硅中双极非易失性随机存取存储单元的分析和优化
机译:非晶Ge2Sb2Te5相变随机存取存储材料的耐辐射性起因
机译:相变随机存取存储器(PCRAM)线单元的纳米结构-性质关系
机译:VLsI(超大规模集成)Ram(随机存取存储器)和pROm(可编程随机存取存储器)的电气特性