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机译:相变随机存取存储器(PCRAM)线单元的纳米结构-性质关系
Kooi B. J.; Oosthoek J. L. M.; Verheijen M. A.; Kaiser M.; Jedema F. J.; Gravesteijn D. J.;
机译:接触电阻对相变随机存取存储器(PCRAM)中存储窗口的影响
机译:基于相变材料的通用内存:从相变随机存取存储器到光电混合存储
机译:相变随机存取存储器(PCRAM)单元的集成分析和设计
机译:6H碳化硅中双极非易失性随机存取存储单元的分析和优化
机译:非晶Ge2Sb2Te5相变随机存取存储材料的耐辐射性起因
机译:相变存储器阵列的编程方法相变随机存取存储器阵列,涉及向存储单元施加设置电流脉冲,该电流脉冲的任何阶段的最小电流电平都高于参考电流电平
机译:相变材料,包含相变材料的溅射靶标,使用溅射靶标形成相变层的方法以及制造包含相变层的相变随机访问存储器的方法
机译:相变材料,包括该相变材料的溅射靶,使用该溅射靶形成相变层的方法以及制造包括该相变层的相变随机存取存储器的方法
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