Amorphized length and variability in phase-change memory line cells

机译：相变存储线单元格中的无形长度和可变性

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期刊名称 Beilstein Journal of Nanotechnology
作者
Nafisa Noor; Sadid Muneer; Raihan Sayeed Khan; Anna Gorbenko; Helena Silva;
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作者单位

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年(卷),期 2020(-1),-1
年度 2020
页码 -1
总页数 11
原文格式 PDF
正文语种
中图分类生化遗传学;生化药理学;
关键词

机译：非晶材料;漂移;电阻率;电阻率;相变存储器;脉冲测量;随机过程;阈值切换;

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