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MANUFACTURING METHOD FOR RUTHENIUM NANO-STRUCTURES BY ANODIC ALUMINUM OXIDE AND ATOMIC LAYER DEPOSITION

机译:阳极氧化铝和原子层沉积制备钌纳米结构的方法

摘要

A manufacturing method of nanostructures using anodized aluminum and atomic layer deposition process is provided to form nanostructures using various materials and to obtain easily the nanostructures of the various shapes and structures. A manufacturing method of nanostructures comprises steps of: (a) injecting a substrate in an acid solution, anodizing aluminium on the substrate and forming an aluminium oxide nano template having a hole of a nano-size in the substrate; (b) filling up the hole formed in the nano template using an atomic layer deposition method; (c) removing a resistant layer formed in the nano template through an etching process; and (d) removing aluminium oxide.
机译:提供一种使用阳极氧化铝和原子层沉积工艺的纳米结构的制造方法,以使用各种材料形成纳米结构,并容易地获得各种形状和结构的纳米结构。纳米结构体的制造方法包括以下步骤:(a)将基板注入酸溶液中,将铝阳极氧化在基板上,并在基板中形成具有纳米尺寸的孔的氧化铝纳米模板; (b)使用原子层沉积法填充纳米模板中形成的孔; (c)通过蚀刻工艺去除形成在纳米模板中的电阻层; (d)除去氧化铝。

著录项

  • 公开/公告号KR100973522B1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-08-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20070078440

  • 发明设计人 김우희;손종역;김형준;

    申请日2007-08-06

  • 分类号B82B3;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:30:58

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