首页> 外国专利> SEMICONDUCTOR POWER DEVICE HAVING A STACKED DISCRETE INDUCTOR STRUCTURE

SEMICONDUCTOR POWER DEVICE HAVING A STACKED DISCRETE INDUCTOR STRUCTURE

机译:具有堆叠式离散电感器结构的半导体功率器件

摘要

A power device includes a discrete inductor having contacts formed on a first surface of the discrete inductor and at least one semiconductor component mounted on the first surface of the discrete inductor and coupled to the contacts. The discrete inductor further includes contacts formed on a second surface opposite the first surface and routing connections connecting the first surface contacts to corresponding second surface contacts. The semiconductor components may be flip chip mounted onto the discrete inductor contacts or wire bonded thereto.
机译:功率器件包括:分立电感器,其具有形成在分立电感器的第一表面上的触点;以及至少一个半导体组件,其安装在分立电感器的第一表面上并耦合至触点。分立电感器还包括形成在与第一表面相对的第二表面上的触头以及将第一表面触头连接到对应的第二表面触头的布线连接。半导体部件可以倒装芯片安装在分立的电感器触点上或引线键合到其上。

著录项

  • 公开/公告号US2011212577A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FRANÇOIS HÉBERT;

    申请/专利号US20100868735

  • 发明设计人 FRANÇOIS HÉBERT;

    申请日2010-08-26

  • 分类号H01L21/58;H01L21/60;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:13:39

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号