机译:带有寄生电感的功率半导体器件的误导通现象的基本分析
Shimane University, Japan;
机译:GaN高电子迁移率晶体管虚假导通现象的数学分析
机译:微功率静电发生器的转换器电路设计,半导体器件选择和寄生分析
机译:650 V GaN FET器件和包装寄生电感效果的光学激活的CASCODE配置
机译:分析具有寄生电感的GaN HEMT的错误导通现象,以提出一种针对峰值栅极电压的新颖设计方法
机译:借助Maxwell 2d和Maxwell 3d仿真对变压器,电感器和igbt桥母线进行寄生提取和磁分析。
机译:用于中频到高功率应用的宽带隙半导体开关装置的驱动电路综述
机译:微功率静电发生器的转换器电路设计,半导体器件选择和寄生效应分析