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机译:GaN高电子迁移率晶体管虚假导通现象的数学分析
Shimane University, Japan;
Shimane University, Japan;
Nagoya University, Japan;
Nagoya University, Japan;
gallium compounds; high electron mobility transistors; III-V semiconductors; invertors; mathematical analysis; wide band gap semiconductors;
机译:使用多个异质界面的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的导通电压工程和增强模式操作
机译:用肖特基栅极结构研究AlGaN / GaN高电子迁移晶体管中表面疏水阀诱导的电流塌陷现象
机译:出版者的注释:“位错散射对GaN高电子迁移率晶体管中电子迁移率的分析” [J.应用物理93,10046(2003)]
机译:GaN HEMT的虚假开启现象的数学分析
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:用铜填充结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热分析和操作特性:模拟研究
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。