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Isolation structure for protecting dielectric layers from degradation

机译:用于保护介电层免于退化的隔离结构

摘要

An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate; and an interconnect structure overlying the semiconductor substrate. A solid metal ring is formed in the interconnect structure, with substantially no active circuit being inside the solid metal ring. The integrated circuit structure further includes a through-silicon via (TSV) having a portion encircled by the solid metal ring. The TSV extends through the interconnect structure into the semiconductor substrate.
机译:集成电路结构包括半导体衬底;以及覆盖半导体衬底的互连结构。固态金属环形成在互连结构中,固态金属环内部基本上没有有源电路。集成电路结构还包括硅通孔(TSV),该硅通孔的一部分被固体金属环环绕。 TSV通过互连结构延伸到半导体衬底中。

著录项

  • 公开/公告号US8053902B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-11-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MING-FA CHEN;SHENG-YUAN LIN;

    申请/专利号US20080326550

  • 发明设计人 SHENG-YUAN LIN;MING-FA CHEN;

    申请日2008-12-02

  • 分类号H01L23/12;H01L23/48;H01L23/52;H01L29/40;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:09:39

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