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公开/公告号CN1193404C
专利类型发明授权
公开/公告日2005-03-16
原文格式PDF
申请/专利权人 工程吸气公司;
申请/专利号CN01813251.0
发明设计人 马科·阿米奥蒂;杰·H·江;克劳迪奥·波菲托;
申请日2001-07-25
分类号H01L21/02;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王永刚
地址 意大利莱内特
入库时间 2022-08-23 08:57:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-09-23
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2005-03-16
授权
2003-12-17
实质审查的生效
2003-09-24
公开
机译: 与介电层集成的器件电容被降解,从而防止了氢吸气层。
机译: 器件电容与介电层集成在一起,其氢比被吸气剂保护的氢要少。
机译:具有氧化钽介电层的氢传感器的电容响应特性
机译:具有气溶胶沉积的高K介电层的叉指电容器,在电容式超感测应用中具有最高的电容值
机译:控制沉积新的有机超薄膜作为先进柔性电容器器件的栅极介电层
机译:使用受保护的器件研究厚栅极氧化层,大尺寸几何图形中的等离子体工艺损坏
机译:互补金属氧化物半导体兼容器件的化学机械抛光和旋涂介电层间介电层的研究
机译:具有气溶胶沉积的高K介电层的叉指电容器在电容式超感测应用中具有最高的电容值
机译:具有集成介电损耗测量功能的低噪声Sigma-Delta电容数字转换器,用于Sub-pF电容传感器
机译:CdTe器件的退化和电容 - 电压滞后现象。预印本