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PHOTO DIODE STRUCTURE AND A PHOTO DIODE MANUFACTURING METHOD, CAPABLE OF FORMING THE DEPLETION REGION UNIFORMLY REGARDLESS OF THE OUTSIDE CONDITION

机译:能够根据外部条件均匀地形成耗尽区的光电二极管结构和光电二极管制造方法

摘要

PURPOSE: A photo diode structure and a photo diode manufacturing method are provided to improve the photo current in the visible light area relatively by blocking the photo current in the ultraviolet area.;CONSTITUTION: A first impurity layer(200) is formed on the surface of a substrate(100). The first impurity layer is opposite type to that of the substrate. A second impurity layer(300) is formed on the lower part of the first impurity layer. The second impurity layer is of the same type as that of the substrate.;COPYRIGHT KIPO 2011
机译:目的:提供一种光电二极管结构和光电二极管的制造方法,以通过阻挡紫外线区域中的光电流来相对改善可见光区域中的光电流。;组成:在表面上形成第一杂质层(200)基板(100)的厚度。第一杂质层与基板的类型相反。在第一杂质层的下部上形成第二杂质层(300)。第二杂质层与基板的类型相同。; COPYRIGHT KIPO 2011

著录项

  • 公开/公告号KR20110021230A

    专利类型

  • 公开/公告日2011-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NEXTCHIP CO. LTD.;

    申请/专利号KR20090078893

  • 发明设计人 KWON KYOUNG KUK;

    申请日2009-08-25

  • 分类号H01L27/146;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:52:27

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