机译:使用能够通过省略金属催化剂来防止金属杂质生成的锗层制造石墨烯的方法
公开/公告号KR20110109680A
专利类型
公开/公告日2011-10-06
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY FOUNDATION FOR CORPORATE COLLABORATION;
申请/专利号KR20100029509
申请日2010-03-31
分类号C01B31/02;C23C16/26;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 17:50:59