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The photoresist polymer, the photoresist constituent, production manner and semiconductor device null below-mentioned expression of the semiconductor device which

机译:光致抗蚀剂聚合物,光致抗蚀剂的成分,生产方式和半导体器件的下述半导体器件的表示式为:

摘要

A photoresist polymer comprising a fluorine component, a photoresist composition containing the photoresist polymer and an organic solvent to reduce surface tension, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same by forming a photoresist film uniformly on the whole surface of an underlying layer pattern to allow a subsequent ion-implanting process to be performed stably.
机译:包含氟成分的光致抗蚀剂聚合物,包含该光致抗蚀剂聚合物和降低表面张力的有机溶剂的光致抗蚀剂组合物,以及通过在下层图案的整个表面上均匀地形成光致抗蚀剂膜而使用该材料制造半导体器件的方法从而可以稳定地进行后续的离子注入工艺。

著录项

  • 公开/公告号JP5037015B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-09-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 エスケーハイニックス株式会社;

    申请/专利号JP20060008650

  • 发明设计人 鄭 載昌;

    申请日2006-01-17

  • 分类号C08F220/22;H01L21/027;G03F7/039;G03F7/004;H01L21/266;C08F234/00;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:39:11

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