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ESD PROTECTION USING DIODE-ISOLATED GATE-GROUNDED NMOS WITH DIODE STRING

机译：使用二极管隔离的栅极隔离栅接地NMOS进行ESD保护

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摘要

An ESD protection circuit with a diode string coupled to a diode-isolated, gate-grounded NMOS ESD device. A method of forming an ESD protection circuit with a diode string coupled to a diode-isolated, gate-grounded NMOS ESD device.

机译：ESD保护电路，其二极管串耦合到二极管隔离的，栅极接地的NMOS ESD器件。一种形成具有二极管串的ESD保护电路的方法，该二极管串耦合到二极管隔离的，栅极接地的NMOS ESD器件。

著录项

公开/公告号US2012112286A1

专利类型
公开/公告日2012-05-10

原文格式PDF
申请/专利权人 PONNARITH POK;KYLE SCHULMEYER;ROGER A. CLINE;CHARVAKA DUVVURY;
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申请/专利号US201113288507
发明设计人 KYLE SCHULMEYER;ROGER A. CLINE;PONNARITH POK;CHARVAKA DUVVURY;
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申请日2011-11-03
分类号H01L27/06;H01L21/328;
国家 US
入库时间 2022-08-21 17:30:18

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