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Integrated CMOS broadband clock with differential design

机译:具有差分设计的集成CMOS宽带时钟

摘要

The complementary-symmetry metal-oxide-semiconductor integrated differential wide-band clock generator, comprises an adjusted diode block (4) and n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MNi) which has a source terminal (SNi), a drain terminal and a gate terminal. A control circuit is provided for the n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. An inductance circuit comprises a metallic layer formed inductance element (L1,L2).
机译:互补对称金属氧化物半导体集成差分宽带时钟发生器,包括一个可调二极管模块(4)和一个n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MNi),该晶体管的源极端子(SNi),漏极端子和栅极端子。为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管提供了控制电路。电感电路包括由金属层形成的电感元件(L1,L2)。

著录项

  • 公开/公告号EP2388908A2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SENSORDYNAMICS AG;

    申请/专利号EP20110162921

  • 发明设计人 AKBARI-DILMAGHANI RAHIM DR.;

    申请日2011-04-19

  • 分类号H03B5/12;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 17:14:42

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