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SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF INCREASING MEMORY CAPACITY OF A MEMORY MODULE PER UNIT AREA

机译:具有提高每单位面积的存储器模块的存储器容量的半导体存储器的能力

摘要

PURPOSE: A semiconductor memory device is provided to reduce power consumption of a memory module by decreasing the frequency of refresh operations of a memory cell.;CONSTITUTION: A memory cell(CL) includes a bit line, a word line, n data lines(DL_1 to DL_2), a transistor(Tr), and n capacitors. The transistor and n capacitors have a channel in an oxide semiconductor layer. One of a source and a drain of a transistor is connected to one bit line and the other is connected to one electrode of each capacitor. A gate of the transistor is connected to the word line.;COPYRIGHT KIPO 2012
机译:目的:提供一种半导体存储器件,以通过降低存储单元的刷新操作频率来降低​​存储模块的功耗。组成:存储单元(CL)包括位线,字线,n条数据线( DL_1至DL_2),一个晶体管(Tr)和n个电容器。晶体管和n个电容器在氧化物半导体层中具有沟道。晶体管的源极和漏极之一连接到一条位线,而另一根连接到每个电容器的一个电极。晶体管的栅极连接到字线。; COPYRIGHT KIPO 2012

著录项

  • 公开/公告号KR20120056207A

    专利类型

  • 公开/公告日2012-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO. LTD.;

    申请/专利号KR20110119506

  • 发明设计人 SAITO TOSHIHIKO;

    申请日2011-11-16

  • 分类号G11C11/40;H01L27/04;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:09:55

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